MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF9540NPBF
- Codice RS:
- 541-1225
- Codice Distrelec:
- 303-41-310
- Codice costruttore:
- IRF9540NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- 541-1225
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- 303-41-310
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- IRF9540NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 23A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 117mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 97nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 23A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 117mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 97nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 23 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRF9540NPBF
Questo MOSFET a canale P è destinato ad applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'elettronica e dell'automazione. Supporta una corrente di drain continua massima di 23A e una tensione drain-source di 100 V, migliorando l'efficienza del circuito. La configurazione in modalità enhancement consente un controllo accurato dell'uscita, rendendolo adatto a vari settori, tra cui le applicazioni elettriche e meccaniche.
Caratteristiche e vantaggi
• Gestisce una corrente di drenaggio continua fino a 23A per prestazioni robuste
• Tensione massima drain-source di 100 V per un funzionamento costante
• La bassa resistenza di drain-source massima di 117 mΩ ottimizza l'efficienza energetica
• Capacità di dissipazione di potenza fino a 140W per applicazioni intensive
• La carica tipica del gate di 97 nC a 10 V supporta la commutazione rapida
Applicazioni
• Impiegato nei circuiti di gestione dell'energia per una conversione efficiente dell'energia
• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per una regolazione accurata della velocità
• Integrato nei circuiti di alimentazione per migliorare l'affidabilità operativa
• Utilizzato in vari sistemi di automazione per funzioni di controllo efficaci
Qual è l'intervallo di temperatura per ottenere prestazioni ottimali?
L'intervallo di temperatura operativa va da -55°C a +175°C, consentendo un utilizzo efficace in diverse condizioni ambientali.
Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?
La tensione di soglia del gate varia tra 2V e 4V, garantendo un'attivazione affidabile e un funzionamento regolare in risposta ai segnali di controllo.
Che tipo di montaggio è necessario per l'installazione?
Questo MOSFET è progettato per il montaggio a foro passante, facilitando l'integrazione in diversi gruppi elettronici.
Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?
Sì, è adatto alle applicazioni di commutazione ad alta frequenza grazie alla bassa carica di gate e alle capacità di commutazione rapida.
Qual è il significato della bassa resistenza drain-source?
La bassa resistenza di drain-source, pari a 117 mΩ, migliora l'efficienza energetica complessiva riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento.
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