MOSFET Infineon, canale P, 117 mΩ, 23 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 541-1225
Codice Distrelec:: 303-41-310
Codice costruttore:: IRF9540NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 117 mΩ, 23 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 541-1225
Codice Distrelec:: 303-41-310
Codice costruttore:: IRF9540NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 23 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRF9540NPBF

Questo MOSFET a canale P è destinato ad applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'elettronica e dell'automazione. Supporta una corrente di drain continua massima di 23A e una tensione drain-source di 100 V, migliorando l'efficienza del circuito. La configurazione in modalità enhancement consente un controllo accurato dell'uscita, rendendolo adatto a vari settori, tra cui le applicazioni elettriche e meccaniche.

Caratteristiche e vantaggi

• Gestisce una corrente di drenaggio continua fino a 23A per prestazioni robuste
• Tensione massima drain-source di 100 V per un funzionamento costante
• La bassa resistenza di drain-source massima di 117 mΩ ottimizza l'efficienza energetica
• Capacità di dissipazione di potenza fino a 140W per applicazioni intensive
• La carica tipica del gate di 97 nC a 10 V supporta la commutazione rapida

Applicazioni

• Impiegato nei circuiti di gestione dell'energia per una conversione efficiente dell'energia
• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per una regolazione accurata della velocità
• Integrato nei circuiti di alimentazione per migliorare l'affidabilità operativa
• Utilizzato in vari sistemi di automazione per funzioni di controllo efficaci

Qual è l'intervallo di temperatura per ottenere prestazioni ottimali?

L'intervallo di temperatura operativa va da -55°C a +175°C, consentendo un utilizzo efficace in diverse condizioni ambientali.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?

La tensione di soglia del gate varia tra 2V e 4V, garantendo un'attivazione affidabile e un funzionamento regolare in risposta ai segnali di controllo.

Che tipo di montaggio è necessario per l'installazione?

Questo MOSFET è progettato per il montaggio a foro passante, facilitando l'integrazione in diversi gruppi elettronici.

Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?

Sì, è adatto alle applicazioni di commutazione ad alta frequenza grazie alla bassa carica di gate e alle capacità di commutazione rapida.

Qual è il significato della bassa resistenza drain-source?

La bassa resistenza di drain-source, pari a 117 mΩ, migliora l'efficienza energetica complessiva riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	23 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	117 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.69mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.54mm
Carica gate tipica @ Vgs	97 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	8.77mm
Tensione diretta del diodo	1.6V