MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP9140NPBF

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Codice RS:
542-9816
Codice Distrelec:
302-84-056
Codice costruttore:
IRFP9140NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

117mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

97nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

20.3mm

Larghezza

5.3 mm

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

30284056

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 23 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRFP9140NPBF


Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per garantire prestazioni di commutazione efficienti in varie applicazioni. È ideale per l'elettronica di potenza, in quanto combina un'elevata capacità di corrente di drenaggio continua con una bassa resistenza, facilitando un controllo affidabile e preciso nei sistemi di automazione ed elettrici in diversi ambienti operativi.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a canale P consente di progettare circuiti flessibili

• Corrente di drenaggio continua massima di 23A

• la tensione di drain-source nominale di 100 V aumenta la sicurezza

• Il basso RDS(on) di 117mΩ riduce la perdita di potenza

• Adatto alle applicazioni in modalità enhancement, garantisce prestazioni stabili

Applicazioni


• Utilizzato nel controllo dei motori per una maggiore efficienza

• Ideale per i sistemi di gestione dell'energia che richiedono un'elevata affidabilità

• Comune nei circuiti di alimentazione per un funzionamento robusto

• Impiegato nei regolatori a commutazione per un'efficace conversione di potenza

• Adatto ai sistemi di automazione industriale che richiedono una commutazione affidabile

Qual è la tensione massima di soglia del gate per il dispositivo?


Ha una tensione di soglia massima di 4 V, adatta a diversi progetti di circuiti.

Qual è l'impatto del valore RDS(on) sulle prestazioni?


Il basso valore RDS(on) di 117mΩ riduce al minimo le perdite di energia, migliorando l'efficienza e la gestione termica delle applicazioni.

Quali tipi di circuiti possono beneficiare di questo MOSFET?


È adatto sia ai circuiti lineari che a quelli di commutazione, il che lo rende versatile per diverse applicazioni elettroniche.

Qual è la carica tipica del cancello necessaria per il funzionamento?


Per ottenere prestazioni ottimali, il MOSFET richiede una carica di gate tipica di 97nC a una tensione gate-source di 10V.

Quali sono le implicazioni della temperatura massima di funzionamento?


Con una temperatura operativa massima di +175°C, questo dispositivo è adatto ad ambienti ad alta temperatura, migliorando la sua affidabilità in condizioni difficili.

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