MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 23 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
124-8828
Codice costruttore:
SPP80P06PHXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

340W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

115nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.36mm

Larghezza

4.57 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.95mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®


I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.

· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)

· Placcatura senza piombo; conformità RoHS

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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