MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 23 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SPB80P06PGATMA1
- Codice RS:
- 753-3166
- Codice costruttore:
- SPB80P06PGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 753-3166
- Codice costruttore:
- SPB80P06PGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 23mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 115nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 340W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.31mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 9.45 mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 23mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 115nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 340W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.31mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 9.45 mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET canale P Infineon SIPMOS®
I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.
· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)
· Placcatura senza piombo; conformità RoHS
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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