MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 204 A, HSOF, Superficie IPT015N10NF2SATMA1
- Codice RS:
- 259-2647
- Codice costruttore:
- IPT015N10NF2SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 259-2647
- Codice costruttore:
- IPT015N10NF2SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 204A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | HSOF | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 204A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package HSOF | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET 2 sono ottimizzati per un'ampia gamma di applicazioni quali SMPS, azionamento di motori, alimentazione a batteria, gestione delle batterie, UPS e veicoli elettrici leggeri. Questa nuova tecnologia offre un miglioramento dell'RDS(on) fino al 40% e un Qg fino al 60% inferiore rispetto ai dispositivi StrongIRFET precedenti, il che si traduce in una maggiore efficienza energetica per prestazioni complessive del sistema migliori. Le correnti nominali più elevate consentono una maggiore capacità di trasporto della corrente, eliminando la necessità di parallelare più dispositivi, il che si traduce in costi BOM più bassi e risparmi sulla scheda.
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Eccellente rapporto prezzo/prestazioni
Ideale per frequenze di commutazione alte e basse
Contenitore a foro passante con ingombro standard industriale
Corrente nominale elevata
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