MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 204 A, HSOF, Superficie IPT015N10NF2SATMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

4,71 €

(IVA esclusa)

5,75 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1278 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 94,71 €
10 - 244,24 €
25 - 493,96 €
50 - 993,72 €
100 +3,44 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-2647
Codice costruttore:
IPT015N10NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

204A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPT

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET 2 sono ottimizzati per un'ampia gamma di applicazioni quali SMPS, azionamento di motori, alimentazione a batteria, gestione delle batterie, UPS e veicoli elettrici leggeri. Questa nuova tecnologia offre un miglioramento dell'RDS(on) fino al 40% e un Qg fino al 60% inferiore rispetto ai dispositivi StrongIRFET precedenti, il che si traduce in una maggiore efficienza energetica per prestazioni complessive del sistema migliori. Le correnti nominali più elevate consentono una maggiore capacità di trasporto della corrente, eliminando la necessità di parallelare più dispositivi, il che si traduce in costi BOM più bassi e risparmi sulla scheda.

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Eccellente rapporto prezzo/prestazioni

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse

Contenitore a foro passante con ingombro standard industriale

Corrente nominale elevata

Link consigliati