Transistor MOSFET Infineon, canale N, 199 A, PG-HSOF-8, Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET 2 sono ottimizzati per un'ampia gamma di applicazioni quali SMPS, azionamento di motori, alimentazione a batteria, gestione delle batterie, UPS e veicoli elettrici leggeri. Questa nuova tecnologia offre un miglioramento dell'RDS(on) fino al 40% e un Qg fino al 60% inferiore rispetto ai dispositivi StrongIRFET precedenti, il che si traduce in una maggiore efficienza energetica per prestazioni complessive del sistema migliori. Le correnti nominali più elevate consentono una maggiore capacità di trasporto della corrente, eliminando la necessità di parallelare più dispositivi, il che si traduce in costi BOM più bassi e risparmi sulla scheda.

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Eccellente rapporto prezzo/prestazioni
Ideale per frequenze di commutazione alte e basse
Contenitore a foro passante con ingombro standard industriale
Corrente nominale elevata