MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.4 mΩ, 365 A, 16 Pin, HDSOP

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Codice RS:
259-2730
Codice costruttore:
IPTC014N10NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

365A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HDSOP

Serie

IPT

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.88V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

168nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

I dispositivi MOSFET di potenza industriali Infineon OptiMOS 5 a 80 V e 100 V sono progettati per la rettifica sincrona nelle applicazioni di alimentazione di telecomunicazioni e server, ma sono anche la scelta ideale per altre applicazioni, come ad esempio i dispositivi solari, gli azionamenti a bassa tensione e l'adattatore per computer portatili. Con un ampio portafoglio di contenitori, questa famiglia di MOSFET di potenza offre il più basso RDS(on) del settore. Uno dei maggiori contributi a questa figura di merito (FOM) leader del settore è la bassa resistenza allo stato attivo con un valore di appena 2,7 mΩ nel contenitore SuperSO8, che fornisce il più alto livello di densità di potenza ed efficienza.

Canale N, livello normale

Resistenza on-on RDS(on) molto bassa

Superiore resistenza termica

Testato al 100% contro le valanghe

Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-24

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