MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.4 mΩ, 365 A, 16 Pin, HDSOP

Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
259-2730
Codice costruttore:
IPTC014N10NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

365A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HDSOP

Serie

IPT

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Tensione diretta Vf

0.88V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

168nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

I dispositivi MOSFET di potenza industriali Infineon OptiMOS 5 a 80 V e 100 V sono progettati per la rettifica sincrona nelle applicazioni di alimentazione di telecomunicazioni e server, ma sono anche la scelta ideale per altre applicazioni, come ad esempio i dispositivi solari, gli azionamenti a bassa tensione e l'adattatore per computer portatili. Con un ampio portafoglio di contenitori, questa famiglia di MOSFET di potenza offre il più basso RDS(on) del settore. Uno dei maggiori contributi a questa figura di merito (FOM) leader del settore è la bassa resistenza allo stato attivo con un valore di appena 2,7 mΩ nel contenitore SuperSO8, che fornisce il più alto livello di densità di potenza ed efficienza.

Canale N, livello normale

Resistenza on-on RDS(on) molto bassa

Superiore resistenza termica

Testato al 100% contro le valanghe

Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-24

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.