MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.4 mΩ, 365 A, 16 Pin, HDSOP
- Codice RS:
- 259-2730
- Codice costruttore:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 259-2730
- Codice costruttore:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 365A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | HDSOP | |
| Serie | IPT | |
| Numero pin | 16 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 0.88V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 168nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 365A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package HDSOP | ||
Serie IPT | ||
Numero pin 16 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Tensione diretta Vf 0.88V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 168nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
I dispositivi MOSFET di potenza industriali Infineon OptiMOS 5 a 80 V e 100 V sono progettati per la rettifica sincrona nelle applicazioni di alimentazione di telecomunicazioni e server, ma sono anche la scelta ideale per altre applicazioni, come ad esempio i dispositivi solari, gli azionamenti a bassa tensione e l'adattatore per computer portatili. Con un ampio portafoglio di contenitori, questa famiglia di MOSFET di potenza offre il più basso RDS(on) del settore. Uno dei maggiori contributi a questa figura di merito (FOM) leader del settore è la bassa resistenza allo stato attivo con un valore di appena 2,7 mΩ nel contenitore SuperSO8, che fornisce il più alto livello di densità di potenza ed efficienza.
Canale N, livello normale
Resistenza on-on RDS(on) molto bassa
Superiore resistenza termica
Testato al 100% contro le valanghe
Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-24
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