MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 65 mΩ N, 126 A, HDSOP, Superficie

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Codice RS:
260-1203
Codice costruttore:
IPDQ60R065S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD

Tipo di package

HDSOP

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

195W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.5mm

Larghezza

15.1 mm

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon consente le migliori prestazioni di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. CoolMOS S7 vanta i valori Rdson più bassi per un MOSFET SJ HV, con un notevole aumento dell'efficienza energetica. CoolMOS S7 è ottimizzato per "commutazione statica" e applicazioni ad alta corrente. È ideale per relè a stato solido e interruttori automatici, nonché per la rettifica di linea nelle topologie SMPS e inverter.

Elevata capacità di corrente di impulso

Maggiori prestazioni del sistema

Design più compatto e facile

BOM e/o TCO inferiori durante la durata prolungata

Resistenza agli urti e alle vibrazioni

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