MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ N, 375 A, HDSOP, Superficie IPDQ60R022S7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-1200
Codice costruttore:
IPDQ60R022S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

375A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD

Tipo di package

HDSOP

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Dissipazione di potenza massima Pd

416W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon consente le migliori prestazioni di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. CoolMOS S7 vanta i valori Rdson più bassi per un MOSFET SJ HV, con un notevole aumento dell'efficienza energetica. CoolMOS S7 è ottimizzato per "commutazione statica" e applicazioni ad alta corrente. È ideale per relè a stato solido e interruttori automatici, nonché per la rettifica di linea nelle topologie SMPS e inverter.

Elevata capacità di corrente di impulso

Maggiori prestazioni del sistema

Design più compatto e facile

BOM e/o TCO inferiori durante la durata prolungata

Resistenza agli urti e alle vibrazioni

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