MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 10 mΩ N, 50 A, 22 Pin, HDSOP, Superficie IPDQ60R010S7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0580
Codice costruttore:
IPDQ60R010S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPDQ60R010S7

Tipo di package

HDSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.82V

Dissipazione di potenza massima Pd

694W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

318nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

21.06mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.35 mm

Lunghezza

15.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon IPDQ60R010S7 è un MOSFET di potenza a canale N che offre le migliori prestazioni per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Il MOSFET è ottimizzato per la commutazione statica e applicazioni a corrente elevata. È ideale per relè a stato solido e progetti di interruttori automatici, nonché per la rettifica del rivestimento in topologie di inverter e inSMPS.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Aumenta l'efficienza energetica

Design più compatti e semplici

Elimina o riduce i dissipatori di calore con design a stato solido

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