MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 10 mΩ N, 50 A, 22 Pin, HDSOP, Superficie IPDQ60R010S7AXTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0578
Codice costruttore:
IPDQ60R010S7AXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPDQ60R010S7A

Tipo di package

HDSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

694W

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

318nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.06mm

Larghezza

2.35 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon IPDQ60R010S7A è un MOSFET di potenza ad alta tensione, progettato come interruttore statico in conformità al principio della super giunzione (SJ). il mosfet combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe che consente una bassa RDS (ON) in contenitore QDPAK. La serie S7A è ottimizzata per la commutazione a bassa frequenza e corrente elevata. applicazione come gli interruttori automatici.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Aumenta l'efficienza energetica

Design più compatti e semplici

Costi TCO ridotti o costi BOM ridotti

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