MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 65 mΩ N, 126 A, HDSOP, Superficie IPDQ60R065S7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-1204
Codice costruttore:
IPDQ60R065S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD

Tipo di package

HDSOP

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

195W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

15.1 mm

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon consente le migliori prestazioni di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. CoolMOS S7 vanta i valori Rdson più bassi per un MOSFET SJ HV, con un notevole aumento dell'efficienza energetica. CoolMOS S7 è ottimizzato per "commutazione statica" e applicazioni ad alta corrente. È ideale per relè a stato solido e interruttori automatici, nonché per la rettifica di linea nelle topologie SMPS e inverter.

Elevata capacità di corrente di impulso

Maggiori prestazioni del sistema

Design più compatto e facile

BOM e/o TCO inferiori durante la durata prolungata

Resistenza agli urti e alle vibrazioni

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