Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ N, 20 A, 10 Pin, HDSOP, Superficie

Codice RS:: 258-3874
Codice costruttore:: IPDD60R125G7XTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ N, 20 A, 10 Pin, HDSOP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1700 unità*

3022,60 €

(IVA esclusa)

3687,30 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
1700 +	1,778 €	3.022,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 258-3874
Codice costruttore:: IPDD60R125G7XTMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	20A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	HDSOP
	Serie	IPD
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	10
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	125mΩ
	Modalità canale	N
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	27nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	120W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 20A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package HDSOP
	Serie IPD
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 10
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ
	Modalità canale N
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 120W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPDD60R125G7XTMA1

Infineon Double DPAK, il primo contenitore per dispositivi a montaggio superficiale raffreddato dall'alto che si rivolge alle applicazioni SMPS ad alta potenza come l'alimentazione PC, solare, server e telecomunicazioni. I vantaggi della tecnologia ad alta tensione già esistente 600 V CoolMOS G7 super junction MOSFET sono combinati con l'innovativo concetto di raffreddamento top-side, fornendo una soluzione di sistema per topologie di commutazione rigida ad alta corrente come PFC e una soluzione ad alta efficienza per topologie LLC.

Innovativo concetto di raffreddamento dall'alto

Configurazione della sorgente Kelvin a 4° pin incorporata e bassa induttanza della sorgente parassita

Consente soluzioni con densità di potenza superiore

Supera gli standard di qualità più elevati

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