MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ N, 20 A, 10 Pin, HDSOP, Superficie IPDD60R125G7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3875
Codice costruttore:
IPDD60R125G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

HDSOP

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Infineon Double DPAK, il primo contenitore per dispositivi a montaggio superficiale raffreddato dall'alto che si rivolge alle applicazioni SMPS ad alta potenza come l'alimentazione PC, solare, server e telecomunicazioni. I vantaggi della tecnologia ad alta tensione già esistente 600 V CoolMOS G7 super junction MOSFET sono combinati con l'innovativo concetto di raffreddamento top-side, fornendo una soluzione di sistema per topologie di commutazione rigida ad alta corrente come PFC e una soluzione ad alta efficienza per topologie LLC.

Innovativo concetto di raffreddamento dall'alto

Configurazione della sorgente Kelvin a 4° pin incorporata e bassa induttanza della sorgente parassita

Consente soluzioni con densità di potenza superiore

Supera gli standard di qualità più elevati

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