MOSFET Infineon, canale N 600 V, 40 mΩ N, 207 A, HDSOP, Superficie IPDQ60R040S7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-1202
Codice costruttore:
IPDQ60R040S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

207A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

HDSOP

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

83nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

272W

Tensione diretta Vf

820mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

15.5mm

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon consente le migliori prestazioni di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. CoolMOS S7 vanta i valori Rdson più bassi per un MOSFET SJ HV, con un notevole aumento dell'efficienza energetica. CoolMOS S7 è ottimizzato per "commutazione statica" e applicazioni ad alta corrente. È ideale per relè a stato solido e interruttori automatici, nonché per la rettifica di linea nelle topologie SMPS e inverter.

Elevata capacità di corrente di impulso

Maggiori prestazioni del sistema

Design più compatto e facile

BOM e/o TCO inferiori durante la durata prolungata

Resistenza agli urti e alle vibrazioni

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