MOSFET Infineon, canale N 40 V, 2.6 mΩ Miglioramento, 121 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP026N04NF2SAKMA1
- Codice RS:
- 260-1060
- Codice costruttore:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 2 unità, in una confezione da 2*
4,57 €
(IVA esclusa)
5,58 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 958 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,285 € | 4,57 € |
| 20 - 48 | 2,035 € | 4,07 € |
| 50 - 98 | 1,89 € | 3,78 € |
| 100 - 198 | 1,79 € | 3,58 € |
| 200 + | 1,145 € | 2,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-1060
- Codice costruttore:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 121A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 68nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 880mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.75mm | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Larghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 121A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 68nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 880mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.75mm | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Larghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon fornisce un'ampia gamma di applicazioni dalla bassa all'alta frequenza di commutazione, con un'ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione a un eccellente rapporto prezzo/prestazioni.
Corrente nominale elevata
Contenitore a foro passante con ingombro standard industriale
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ 3 Pin Foro passante IPP026N10NF2SAKMA1
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPD90N03S4L02ATMA1
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRFS7730TRLPBF
- MOSFET Infineon 2.6 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie