MOSFET Infineon 2000 V, 26.5 mΩ, 50 A, AG-EASY3B, Superficie DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-1093
Codice costruttore:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

2000V

Tipo di package

AG-EASY3B

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26.5mΩ

Tensione diretta Vf

6.15V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di una configurazione boost a 4 gambe in un contenitore Easy 3B e viene fornito con l'ultima generazione CoolSiC M1H. Il MOSFET SiC da 2000 V condivide le stesse prestazioni e i vantaggi della serie M1H da 1200 V incl. RDS(on) inferiore del 12% a 125 °C, area di tensione sorgente gate più ampia per una maggiore flessibilità, una temperatura di giunzione massima di 175 °C e dimensioni del chip più piccole.

Elevata densità di corrente

Design a bassa induttanza

Montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati

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