MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ, 202 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 260-5056
- Codice costruttore:
- AUIRF1404
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
121,30 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,426 € | 121,30 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5056
- Codice costruttore:
- AUIRF1404
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 202A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 333W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 16.51mm | |
| Larghezza | 10.67 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 202A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 333W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 16.51mm | ||
Larghezza 10.67 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
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