MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ, 202 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante AUIRF1404
- Codice RS:
- 260-5057
- Codice costruttore:
- AUIRF1404
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5057
- Codice costruttore:
- AUIRF1404
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 202A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 333W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.51mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Larghezza | 10.67 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 202A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 333W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.51mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Larghezza 10.67 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
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