MOSFET Infineon, canale Tipo N N, 30 A, PG-TO-252, Superficie IPD30N06S2L23ATMA3
- Codice RS:
- 260-5129
- Codice costruttore:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Costruttore:
- Infineon
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| 50 - 120 | 0,576 € | 2,88 € |
| 125 - 245 | 0,538 € | 2,69 € |
| 250 - 495 | 0,502 € | 2,51 € |
| 500 + | 0,462 € | 2,31 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5129
- Codice costruttore:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tipo di package | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | N | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tipo di package PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale N | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor MOSFET a canale N Infineon funziona in modalità di potenziamento. La sua dissipazione di potenza massima è di 100 W. Questo transistor MOSFET ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e 175 °C.
Modalità di potenziamento canale N
Rds(on) ultrabassi
Testato al 100% a valanga