MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V Miglioramento, 270 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP3006PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5869
Codice Distrelec:
302-84-049
Codice costruttore:
IRFP3006PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

270A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.7mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30284049

MOSFET Infineon serie HEXFET, 270A di corrente continua massima di drain, 60V di tensione massima di source drain - IRFP3006PBF


Questo MOSFET ad alte prestazioni è un componente fondamentale per le moderne applicazioni elettroniche, progettato con l'obiettivo di migliorare l'efficienza e l'affidabilità. Le dimensioni di questo pacchetto TO-247 comprendono una lunghezza di 15,87 mm, una larghezza di 5,31 mm e un'altezza di 20,7 mm. Funziona efficacemente in una varietà di ambienti e apporta un valore significativo nelle situazioni di gestione dell'energia.

Caratteristiche e vantaggi


• Elevata corrente di drenaggio continua, pari a 270A, per requisiti esigenti

• capacità di drain-source a 60 V per un utilizzo versatile

• La dissipazione di potenza massima di 375 W supporta prestazioni robuste

• Capacità valanghe potenziata per una migliore protezione del sistema

• Il montaggio a foro passante garantisce un'installazione solida e affidabile

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

• Ideale per i gruppi di continuità per garantire l'affidabilità

• Efficace nella commutazione di potenza ad alta velocità

• Adatto per circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza

Quali prestazioni termiche si possono prevedere in condizioni di funzionamento continuo?


Con una temperatura operativa massima di +175°C, gestisce in modo affidabile carichi termici elevati, mentre la resistenza termica dalla giunzione all'involucro favorisce un'efficiente dissipazione del calore.

In che modo la tensione di soglia del gate contribuisce alle sue prestazioni nei circuiti?


La tensione di soglia massima del gate è di 4 V e garantisce che i segnali di controllo attivino efficacemente il MOSFET, offrendo una sinergia con i circuiti di controllo a bassa tensione.

Quali sono le implicazioni della bassa Rds(on) per l'efficienza del circuito?


La bassa resistenza di accensione, pari a 2,5 mΩ, riduce significativamente le perdite di energia, migliorando l'efficienza complessiva del circuito, soprattutto nelle applicazioni ad alta intensità di potenza, che si traduce in una minore generazione di calore e in una maggiore sostenibilità delle prestazioni.

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