MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 0.6 Ω, 10 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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250 - 4502,223 €111,15 €
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Codice RS:
261-5484
Codice costruttore:
STP80N450K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

MDmesh K6

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.6Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6 basata sulla tecnologia Super Junction. Il risultato è la migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.

Migliore RDS(on) x area al mondo

Migliore FOM (Figure of Merit) al mondo

Carica gate ultra bassa

Testato al 100% contro le valanghe

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