MOSFET Infineon, canale N 75 V Miglioramento, 140 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF3808PBF
- Codice RS:
- 262-6729
- Codice Distrelec:
- 304-41-666
- Codice costruttore:
- IRF3808PBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 262-6729
- Codice Distrelec:
- 304-41-666
- Codice costruttore:
- IRF3808PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 140A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 140A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio. Questo design è dotato di caratteristiche aggiuntive come temperatura d'esercizio di 175 °C, bassa RθJC, velocità di commutazione rapida e valore nominale migliorato a valanga ripetitiva.
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
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