MOSFET Microchip, canale Tipo N 100 V Miglioramento, 500 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 sacchetto da 1000 unità*

860,00 €

(IVA esclusa)

1050,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Sacchetto*
1000 +0,86 €860,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
264-8911
Codice costruttore:
TN0610N3-G
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

500A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TN0610

Tipo di package

TO-92

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Microchip con modalità di potenziamento a bassa soglia (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.

Soglia bassa - 2.0V max.

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso - 100 pF

Velocità di commutazione rapida

Bassa resistenza in stato attivo

Esente da guasti secondari

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Link consigliati