MOSFET Microchip, canale Tipo N 60 V Miglioramento, 3 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante

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Codice RS:
264-8909
Codice costruttore:
TN0606N3-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-92

Serie

TN0606

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Microchip con modalità di potenziamento a bassa soglia (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.

Soglia minima massima di 2 V

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso 100 pF

Velocità di commutazione rapida

Bassa resistenza in stato attivo

Esente da guasti secondari

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

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