MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 60 V Miglioramento, 3.4 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante TN0106N3-G

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Codice RS:
598-395
Codice costruttore:
TN0106N3-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-92

Serie

TN0106

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

0.82in

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

0.165 in

Lunghezza

0.205in

Standard automobilistico

No

Il transistor verticale a bassa soglia con modalità di potenziamento del canale N Microchip è costruito utilizzando una struttura DMOS verticale e un processo di fabbricazione con gate al silicio ben consolidato. Questo design combina le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e guasto secondario indotto termicamente.

Velocità di commutazione rapide

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria

Bassa perdita in ingresso e in uscita

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