MOSFET Microchip, canale Tipo P 40 V, 8 Ω MOSFET, -500 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante VP0104N3-G
- Codice RS:
- 264-8949
- Codice costruttore:
- VP0104N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità | Per confezione* |
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| 250 - 490 | 0,701 € | 7,01 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-8949
- Codice costruttore:
- VP0104N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -500mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Serie | VP0104 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8Ω | |
| Modalità canale | MOSFET | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -500mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Serie VP0104 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8Ω | ||
Modalità canale MOSFET | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale P Microchip a bassa soglia, in modalità di potenziamento (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.
Esente da guasti secondari
Requisiti di azionamento a bassa potenza
Facilità di collegamento in parallelo
Bassa CISS e velocità di commutazione elevate
Eccellente stabilità termica
Diodo sorgente-drenaggio integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno