MOSFET Microchip, canale P, 8 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

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Codice RS:
236-8963
Codice costruttore:
VP0109N3-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

250 mA

Tensione massima drain source

90 V

Tipo di package

TO-92

Serie

VP0109

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Numero di elementi per chip

1

Il transistor (normalmente spento) in modalità potenziata Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e il consolidato processo di produzione di gate di silicio di Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica distruttiva, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Privo di scarica secondaria

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

Basso CISS e rapida velocità di commutazione

Stabilità termica eccellente

Diodo source-drain integrato

Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

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