MOSFET Microchip, canale Tipo P, 8 Ω 90 V, 250 mA Miglioramento, TO-92, Foro passante, 3 Pin VP0109N3-G

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Codice RS:
236-8963
Codice costruttore:
VP0109N3-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

250mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

90V

Tipo di package

TO-92

Serie

VP0109

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Il transistor (normalmente spento) in modalità potenziata Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e il consolidato processo di produzione di gate di silicio di Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica distruttiva, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Privo di scarica secondaria

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

Basso CISS e rapida velocità di commutazione

Stabilità termica eccellente

Diodo source-drain integrato

Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno