MOSFET ROHM, canale Tipo N 600 V, 0.3 Ω Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2337,50 €

(IVA esclusa)

2852,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 - 25000,935 €2.337,50 €
5000 +0,917 €2.292,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
265-5414
Codice costruttore:
R6013VND3TL1
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

R6013VND3 NaN

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

131W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS NaN

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM con una bassa resistenza all'accensione e un contenitore ad alta potenza è adatto per circuiti di commutazione, applicazioni con batteria a cella singola e applicazioni mobili.

Tempo di recupero inverso rapido (trr)

Bassa resistenza all'accensione

Velocità di commutazione rapida

I circuiti di azionamento possono essere semplici

Link consigliati