MOSFET ROHM, canale N 600 V, 0.3 Ω Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6013VND3TL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
265-5415
Codice costruttore:
R6013VND3TL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

R6013VND3 NaN

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

131W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS NaN

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM con una bassa resistenza all'accensione e un contenitore ad alta potenza è adatto per circuiti di commutazione, applicazioni con batteria a cella singola e applicazioni mobili.

Tempo di recupero inverso rapido (trr)

Bassa resistenza all'accensione

Velocità di commutazione rapida

I circuiti di azionamento possono essere semplici

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