MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 115 mΩ Miglioramento, 21 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IPW65R115CFD7AXKSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

152,01 €

(IVA esclusa)

185,46 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 210 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 305,067 €152,01 €
60 +4,677 €140,31 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3027
Codice costruttore:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPW

Tipo di package

PG-TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

115mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

114W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AECQ101, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza SJ per uso automobilistico Infineon è in un contenitore TO-247 e fa parte della famiglia di prodotti CFD7A di MOSFET di potenza SJ a freddo MOS da 650 V certificati per uso automobilistico.

Consente di progettare una maggiore densità di potenza

Scalabile come progettato per l'uso in fase PFC e c.c.-c.c.

Portafoglio granulare disponibile

Link consigliati