MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 115 mΩ Miglioramento, 21 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IPW65R115CFD7AXKSA1

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Codice RS:
273-3027
Codice costruttore:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPW

Tipo di package

PG-TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

115mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

114W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AECQ101, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza SJ per uso automobilistico Infineon è in un contenitore TO-247 e fa parte della famiglia di prodotti CFD7A di MOSFET di potenza SJ a freddo MOS da 650 V certificati per uso automobilistico.

Consente di progettare una maggiore densità di potenza

Scalabile come progettato per l'uso in fase PFC e c.c.-c.c.

Portafoglio granulare disponibile

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