MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.005 Ω Miglioramento, 166 A, 4 Pin, SO-8L, Superficie SQJ162EP-T1_GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 3000 unità, in una bobina da 3000*

1983,00 €

(IVA esclusa)

2418,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,661 €1.983,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
280-0018
Codice costruttore:
SQJ162EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

166A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SQJ162EP

Tipo di package

SO-8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.005Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET per uso automobilistico Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Certificazione AEC-Q101

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.