MOSFET Vishay, canale Canale P -80 V, 0.0283 Ω Miglioramento, -128 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-269
Codice costruttore:
SQJ181ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-128A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0283Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

468W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

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