1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.021 Ω, 42 A 100 V, PowerPAK SO-8L, 8 Pin SQJ488EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-8020
Codice costruttore:
SQJ488EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.021Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

6.25 mm

Lunghezza

5.25mm

Altezza

1.14mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il Vishay SQJ457EP è un MOSFET con temperatura di giunzione massima a canale N per uso automobilistico da 175 °C avente tensione drain-source (Vds) di 100V. La tensione tra gate e source (VGS) è 20V. È dotato di contenitore Power PAK SO-8L. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,0221 ohm a 10VGS e 0,0258 ohm a 4,5 VGS. Massima corrente di drain 42A.

MOSFET di potenza Trench FET

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

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