1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.025 Ω, 36 A 60 V, PowerPAK SO-8L, 8 Pin SQJ457EP-T1_GE3

Codice RS:: 180-7972
Codice costruttore:: SQJ457EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.025 Ω, 36 A 60 V, PowerPAK SO-8L, 8 Pin SQJ457EP-T1_GE3

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100 - 180	0,551 €	11,02 €
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500 - 980	0,473 €	9,46 €
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*prezzo indicativo

Codice RS:: 180-7972
Codice costruttore:: SQJ457EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	36A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8L
	Serie	SQJ
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.025Ω
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	65nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	68W
	Configurazione transistor	Singolo
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	AEC-Q101
	Altezza	1.14mm
	Lunghezza	6.15mm
	Larghezza	5.13 mm
	Numero elementi per chip	1
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 36A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package PowerPAK SO-8L
	Serie SQJ
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.025Ω
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 65nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 68W
	Configurazione transistor Singolo
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni AEC-Q101
	Altezza 1.14mm
	Lunghezza 6.15mm
	Larghezza 5.13 mm
	Numero elementi per chip 1
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 6,7 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttori adattatori

• interruttori primari c.c./c.c.

• interruttori di carico

• Gestione dell'alimentazione

Certificazioni

• Qualifica AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato