MOSFET Vishay, canale Tipo N 500 V, 0.27 Ω Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP460LCPBF
- Codice RS:
- 281-6031
- Codice Distrelec:
- 171-16-940
- Codice costruttore:
- IRFP460LCPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 281-6031
- Codice Distrelec:
- 171-16-940
- Codice costruttore:
- IRFP460LCPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.27Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 280W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 14.2mm | |
| Larghezza | 15.29 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.27Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 280W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 14.2mm | ||
Larghezza 15.29 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I MOSFET di potenza Vishay offrono carichi di gate significativamente inferiori rispetto ai MOSFET convenzionali. Questi miglioramenti riducono i requisiti di azionamento del gate, accelerano la commutazione e aumentano il risparmio di sistema, stabilendo un nuovo standard nei transistor di potenza per le applicazioni di commutazione.
Carica gate ultrabassa
Riduzione dei requisiti di azionamento del gate
Foro di montaggio centrale isolato
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