MOSFET Vishay, canale Tipo N 500 V, 0.27 Ω Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP460LCPBF
- Codice RS:
- 281-6031
- Codice Distrelec:
- 171-16-940
- Codice costruttore:
- IRFP460LCPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 281-6031
- Codice Distrelec:
- 171-16-940
- Codice costruttore:
- IRFP460LCPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.27Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 280W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 14.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 15.29 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.27Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 280W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 14.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 15.29 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I MOSFET di potenza Vishay offrono carichi di gate significativamente inferiori rispetto ai MOSFET convenzionali. Questi miglioramenti riducono i requisiti di azionamento del gate, accelerano la commutazione e aumentano il risparmio di sistema, stabilendo un nuovo standard nei transistor di potenza per le applicazioni di commutazione.
Carica gate ultrabassa
Riduzione dei requisiti di azionamento del gate
Foro di montaggio centrale isolato
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