MOSFET Vishay, canale Tipo N 500 V, 0.27 Ω Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP460LCPBF
- Codice RS:
- 281-6031
- Codice Distrelec:
- 171-16-940
- Codice costruttore:
- IRFP460LCPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 281-6031
- Codice Distrelec:
- 171-16-940
- Codice costruttore:
- IRFP460LCPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.27Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 280W | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 14.2mm | |
| Larghezza | 15.29 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.27Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 280W | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 14.2mm | ||
Larghezza 15.29 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I MOSFET di potenza Vishay offrono carichi di gate significativamente inferiori rispetto ai MOSFET convenzionali. Questi miglioramenti riducono i requisiti di azionamento del gate, accelerano la commutazione e aumentano il risparmio di sistema, stabilendo un nuovo standard nei transistor di potenza per le applicazioni di commutazione.
Carica gate ultrabassa
Riduzione dei requisiti di azionamento del gate
Foro di montaggio centrale isolato
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