MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 0.27 Ω Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG20N50C-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1266
Codice costruttore:
SIHG20N50C-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-247AC

Serie

SiHG20N50C

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.27Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS (2002/95/EC), IEC 61249-2-21

Larghezza

5.31 mm

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.82mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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