MOSFET Infineon, canale Tipo N 240 V, 6 Ω Miglioramento, 350 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP89H6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
445-2281
Codice costruttore:
BSP89H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

350mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

240V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corrente di scarico continua massima di 350 mA, dissipazione di potenza massima di 1,8 W - BSP89H6327XTSA1


Questo MOSFET è un componente chiave per le applicazioni elettroniche ad alta tensione, in quanto fornisce efficaci capacità di commutazione. Utilizzando la tecnologia enhancement mode a canale N, è adatto all'elettronica automobilistica e industriale, garantendo un funzionamento efficiente in varie condizioni. Il pacchetto SOT-223 consente un versatile montaggio in superficie, rendendolo adatto ai progetti di circuiti contemporanei.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di drenaggio continua massima di 350 mA

• Elevata tensione di drain-source di 240 V per una maggiore sicurezza

• La bassa tensione di soglia del gate migliora la sensibilità

• Capacità di dissipazione di potenza fino a 1,8W

• Ideale per applicazioni a livello logico con tempi di commutazione rapidi

Applicazioni


• Gestione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica

• Alimentatori switching basati su MOSFET

• Amplificazione del segnale nei circuiti elettronici

Qual è l'intervallo di temperatura massimo per il funzionamento?


Funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, adatto a varie condizioni ambientali.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulle prestazioni?


Una bassa tensione di soglia di gate consente al MOSFET di attivarsi a tensioni di ingresso inferiori, migliorando l'efficienza dei dispositivi alimentati a batteria.

Che tipo di montaggio è compatibile con questo dispositivo?


Questo componente è progettato per il montaggio superficiale in un pacchetto SOT-223, che ne facilita l'integrazione nei circuiti stampati.

Può gestire correnti di drenaggio pulsate?


Sì, può gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 1,4A, offrendo una maggiore flessibilità per le applicazioni di burst power.

È adatto all'uso con i microcontrollori?


Sì, la sua compatibilità a livello logico consente l'interfacciamento diretto con le uscite del microcontrollore per un controllo efficace.

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