MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 350 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 445-2281
Codice costruttore:: BSP89H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 350 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 5

0,15 €

(IVA esclusa)

0,18 €

(IVA inclusa)

465 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
5 +	0,15 €	0,75 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 445-2281
Codice costruttore:: BSP89H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

BSP 89 SIPMOS ® Small-Signal Transistor Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	350 mA
Tensione massima drain source	240 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	4,3 nC @ 10 V
Larghezza	3.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 350 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

Link consigliati