MOSFET Vishay, canale Tipo P 200 V, 3 Ω Miglioramento, 1.8 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

1,57 €

(IVA esclusa)

1,92 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 47 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
  • Più 948 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 91,57 €
10 - 491,40 €
50 - 991,33 €
100 - 2491,18 €
250 +1,09 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
542-9462
Codice costruttore:
IRF9610PBF
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IRF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-5.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.41mm

Larghezza

4.7 mm

Altezza

9.01mm

Standard automobilistico

No

La tecnologia MOSFET di potenza Vishay è la chiave per Advanced line di transistor MOSFET di potenza. La geometria efficiente e l'esclusivo processo del design dei MOSFET di potenza raggiungono una resistenza in stato attivo molto bassa combinata con un'elevata transconduttanza e un'estrema robustezza del dispositivo. Il contenitore TO-220AB è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 W.

Valori nominali dinamici dV/dt

Facilità di collegamento in parallelo

Requisiti di azionamento semplici

Link consigliati