MOSFET Vishay, canale Tipo P 200 V, 3 Ω Miglioramento, 1.8 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
542-9462
Codice costruttore:
IRF9610PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IRF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-5.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.01mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.41mm

Standard automobilistico

No

La tecnologia MOSFET di potenza Vishay è la chiave per Advanced line di transistor MOSFET di potenza. La geometria efficiente e l'esclusivo processo del design dei MOSFET di potenza raggiungono una resistenza in stato attivo molto bassa combinata con un'elevata transconduttanza e un'estrema robustezza del dispositivo. Il contenitore TO-220AB è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 W.

Valori nominali dinamici dV/dt

Facilità di collegamento in parallelo

Requisiti di azionamento semplici

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