MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 919-4860
- Codice costruttore:
- IRF9530NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
34,40 €
(IVA esclusa)
41,95 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Più 450 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
- Più 12.700 unità in spedizione dal 12 ottobre 2026
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,688 € | 34,40 € |
| 100 - 200 | 0,654 € | 32,70 € |
| 250 - 450 | 0,627 € | 31,35 € |
| 500 - 1200 | 0,585 € | 29,25 € |
| 1250 + | 0,551 € | 27,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-4860
- Codice costruttore:
- IRF9530NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 14A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 200mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 14A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 14 A, dissipazione di potenza massima di 79 W - IRF9530NPBF
Caratteristiche e vantaggi
Applicazioni
In che modo l'intervallo di temperatura operativa può influire sull'utilizzo?
Quali sono le implicazioni della specifica di dissipazione di potenza massima?
Può essere utilizzato in configurazioni parallele per aumentare la capacità di corrente?
Quali sono le precauzioni da prendere durante l'installazione?
In che modo la selezione dei dispositivi influisce sulle prestazioni complessive del circuito?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 200 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF9530NPBF
- MOSFET Infineon 200 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 200 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF9530NSTRLPBF
- MOSFET Infineon 3.4 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 33 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP330P10NMAKSA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie AUIRF6215
- MOSFET Infineon 3.4 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP120P04P4L03AKSA2
