MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF9530NSTRLPBF
- Codice RS:
- 215-2593
- Codice Distrelec:
- 304-39-418
- Codice costruttore:
- IRF9530NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 215-2593
- Codice Distrelec:
- 304-39-418
- Codice costruttore:
- IRF9530NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 14A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 200mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 58nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 14A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il modello D2pack è un contenitore di potenza per montaggio superficiale in grado di alloggiare matrici di dimensioni fino A HEX-4. Fornisce la massima capacità di potenza e la più bassa resistenza all'accensione possibile in qualsiasi contenitore a montaggio superficiale esistente. Il modello D2pack è adatto per applicazioni a corrente elevata grazie alla sua bassa resistenza di collegamento interna e può dissipare fino a 2 W in un'applicazione a montaggio superficiale tipica.
Avanzata tecnologia di processo
Classificazione completa a valanga
Commutazione rapida
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