MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
215-2592
Codice costruttore:
IRF9530NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione diretta Vf

-1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il modello D2pack è un contenitore di potenza per montaggio superficiale in grado di alloggiare matrici di dimensioni fino A HEX-4. Fornisce la massima capacità di potenza e la più bassa resistenza all'accensione possibile in qualsiasi contenitore a montaggio superficiale esistente. Il modello D2pack è adatto per applicazioni a corrente elevata grazie alla sua bassa resistenza di collegamento interna e può dissipare fino a 2 W in un'applicazione a montaggio superficiale tipica.

Avanzata tecnologia di processo

Classificazione completa a valanga

Commutazione rapida

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