MOSFET di potenza Vishay, canale N 900 V, 8 Ω Miglioramento, 1.7 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFBF20PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
542-9541
Codice costruttore:
IRFBF20PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

1.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Serie

IRFBE

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

54W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Altezza

9.01mm

Lunghezza

10.41mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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