MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 580 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 542-9844
- Codice costruttore:
- IRFPC50APBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
6,31 €
(IVA esclusa)
7,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- Più 10 unità in spedizione dal 26 gennaio 2026
- Ultime 115 unità in spedizione dal 02 febbraio 2026
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,31 € |
| 10 - 49 | 5,94 € |
| 50 - 99 | 5,36 € |
| 100 - 249 | 5,05 € |
| 250 + | 4,74 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 542-9844
- Codice costruttore:
- IRFPC50APBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IRFPC50A | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 580mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 180W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.31 mm | |
| Altezza | 20.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IRFPC50A | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 580mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 180W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.31 mm | ||
Altezza 20.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET Vishay 580 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFPC50APBF
- MOSFET Vishay 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFPC50PBF
- MOSFET Vishay 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFP448PBF
- MOSFET Infineon 580 mΩ Miglioramento 3 Pin8, Foro passante
- MOSFET Infineon 17 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
