MOSFET Infineon, canale Tipo N 1700 V, 580 mΩ Miglioramento, 7.5 A, 3 Pin, PG-TO-247-3-STD-NN4,8, Foro passante
- Codice RS:
- 349-110
- Codice costruttore:
- IMWH170R650M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-110
- Codice costruttore:
- IMWH170R650M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1700V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 580mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 88W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1700V | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 580mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 88W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET Trench SiC CoolSiC Infineon da 1700 V è un MOSFET in carburo di silicio ad alte prestazioni progettato per un'efficiente commutazione di potenza. È compatibile con la tensione di gate-source di 12 V/0 V, il che lo rende adatto all'uso con la maggior parte dei controller flyback. Caratterizzato da una tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)) di 4,5 V, il dispositivo garantisce prestazioni di commutazione affidabili ed efficienti in un'ampia gamma di applicazioni di potenza. Questo MOSFET è una scelta eccellente per i sistemi che richiedono un funzionamento ad alta tensione e una maggiore efficienza energetica.
Perdite di commutazione molto basse
Dv/dt completamente controllabile per l'ottimizzazione delle EMI
La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria
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