Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 202 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, Foro passante

Codice RS:: 349-372
Codice costruttore:: AIMZH120R010M1TXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 202 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, Foro passante

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Codice RS:: 349-372
Codice costruttore:: AIMZH120R010M1TXKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	202A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1200V
	Tipo di package	PG-TO-247-4-STD-NT6.7
	Serie	CoolSiC
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	11.3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	23 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	750W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	178nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q100, AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 202A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V
	Tipo di package PG-TO-247-4-STD-NT6.7
	Serie CoolSiC
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 750W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 178nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q101

Datasheet - AIMZH120R010M1TXKSA1

Paese di origine:: CN

Il MOSFET SiC Infineon è caratterizzato dalle migliori prestazioni di commutazione della categoria, dalla robustezza contro le accensioni parassite e dal miglioramento di RDSon e Rth(j-c). L'elevata densità di potenza, l'efficienza superiore, le capacità di carica bidirezionale e la significativa riduzione dei costi di sistema ne fanno la scelta ideale per i caricabatterie integrati e per le applicazioni da CC a CC.

Perdite di commutazione molto basse

Energia di commutazione migliore della categoria

Capacità del dispositivo più basse

Pin di rilevamento per ottimizzare le prestazioni di commutazione

Adatto ai requisiti di linea di fuga HV

Conduttori più sottili per ridurre il rischio di ponti di saldatura

MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 202 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, Foro passante

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