MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 11.3 mΩ Miglioramento, 202 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, Foro passante
- Codice RS:
- 349-372
- Codice costruttore:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
35,02 €
(IVA esclusa)
42,72 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 208 unità in spedizione dal 16 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 35,02 € |
| 10 + | 31,52 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-372
- Codice costruttore:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 202A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 750W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 178nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 202A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 750W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 178nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie CoolSiC, tensione di sorgente di drenaggio 1200 V, corrente di drenaggio continua 202 A - AIMZH120R010M1TXKSA1
Questo MOSFET di potenziamento a canale n è un transistor di potenza in carburo di silicio progettato per la commutazione ad alta tensione in sistemi elettronici impegnativi. È progettato per applicazioni che richiedono prestazioni termiche robuste e capacità di tensione elevata, supportando al contempo il montaggio a foro passante convenzionale in un contenitore PG-TO-247-4.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio di 1200 V che consente il funzionamento di circuiti ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 202 A che supporta carichi di corrente pesanti
• Basso valore Rds(on) di 11,3 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 750 W che consente un uso prolungato ad alta potenza
• Carica gate 178 nC che facilita la dinamica di commutazione controllata
• Intervallo di funzionamento da -55 a 175 °C per una resistenza a temperature estreme
• Corrente di drenaggio continua di 202 A che supporta carichi di corrente pesanti
• Basso valore Rds(on) di 11,3 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 750 W che consente un uso prolungato ad alta potenza
• Carica gate 178 nC che facilita la dinamica di commutazione controllata
• Intervallo di funzionamento da -55 a 175 °C per una resistenza a temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per convertitori di potenza ad alta tensione nei sistemi industriali
• Ideale per gli stadi degli inverter di trazione che richiedono corrente elevata
• Utilizzato con componenti elettronici di livello automobilistico conformi a AEC‐Q101
• Può essere utilizzato per moduli inverter a energia rinnovabile
• Adatto per alimentatori in ambienti termici difficili
• Ideale per gli stadi degli inverter di trazione che richiedono corrente elevata
• Utilizzato con componenti elettronici di livello automobilistico conformi a AEC‐Q101
• Può essere utilizzato per moduli inverter a energia rinnovabile
• Adatto per alimentatori in ambienti termici difficili
In che modo il dispositivo soddisfa i requisiti di qualificazione automobilistica?
Soddisfa gli standard di test di resistenza automobilistici riconosciuti per soddisfare le esigenze di affidabilità nell'elettronica dei veicoli.
Quale metodo di montaggio devono prevedere i progettisti?
Il componente utilizza un contenitore PG-TO-247-4 a foro passante per un fissaggio sicuro della scheda e la compatibilità con i dissipatori di calore.
In che modo il design dell'azionamento del gate è influenzato dal comportamento di commutazione?
I progettisti devono tenere conto di una carica di gate tipica di 178 nC quando dimensionano i driver gate per ottenere le velocità di commutazione desiderate e ridurre al minimo le perdite.
Quale modalità di polarità e conduzione utilizza?
Funziona come un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, conducendo quando viene applicata una tensione gate-source positiva.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 200 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 150 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 100 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 50 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 25 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 38 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 75 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- IGBT Infineon IKZA75N120CH7XKSA1 IC 109 A PG-TO-247-4-STD-NT3 4 Pin Foro passante