MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 75 mΩ Miglioramento, 38 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, Foro passante
- Codice RS:
- 349-377
- Codice costruttore:
- AIMZH120R060M1TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- 349-377
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- AIMZH120R060M1TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 197W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 197W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET SiC Infineon è caratterizzato dalle migliori prestazioni di commutazione della categoria, dalla robustezza contro le accensioni parassite e dal miglioramento di RDSon e Rth(j-c). L'elevata densità di potenza, l'efficienza superiore, le capacità di carica bidirezionale e la significativa riduzione dei costi di sistema ne fanno la scelta ideale per i caricabatterie integrati e per le applicazioni da CC a CC.
Perdite di commutazione molto basse
Energia di commutazione migliore della categoria
Capacità del dispositivo più basse
Pin di rilevamento per ottimizzare le prestazioni di commutazione
Adatto ai requisiti di linea di fuga HV
Conduttori più sottili per ridurre il rischio di ponti di saldatura
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