MOSFET Infineon, canale Tipo N 1700 V, 880 mΩ Miglioramento, 5.4 A, 3 Pin, PG-TO-247-3-STD-NN4,8, Foro passante

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Codice RS:
349-108
Codice costruttore:
IMWH170R1K0M1XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1700V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

PG-TO-247-3-STD-NN4,8

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

880mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.5nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Trench SiC CoolSiC Infineon da 1700 V è un MOSFET in carburo di silicio ad alte prestazioni progettato per un'efficiente commutazione di potenza. È compatibile con la tensione di gate-source di 12 V/0 V, il che lo rende adatto all'uso con la maggior parte dei controller flyback. Caratterizzato da una tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)) di 4,5 V, il dispositivo garantisce prestazioni di commutazione affidabili ed efficienti in un'ampia gamma di applicazioni di potenza. Questo MOSFET è una scelta eccellente per i sistemi che richiedono un funzionamento ad alta tensione e una maggiore efficienza energetica.

Perdite di commutazione molto basse

Dv/dt completamente controllabile per l'ottimizzazione delle EMI

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

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