MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 540 mΩ Miglioramento, 5.6 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
543-1645P
Codice costruttore:
IRF510SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

IRF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

540mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

2.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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