MOSFET STMicroelectronics, canale N 60 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB100N6F7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4668
Codice costruttore:
STB100N6F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STripFET F7

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.35mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

STripFET™ a canale N, serie F7, STMicroelectronics


I MOSFET a bassa tensione serie STripFET™ F7 di STMicroelectronics hanno una resistenza in stato attivo del dispositivo inferiore, con capacità interna e carica di gate minori, per offrire una commutazione più veloce ed efficiente.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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